ELECTRONICS
STEM解析(透過型電子顕微鏡）
STEM観察では、CMOS製品のゲート酸化物などの非常に薄い層まで観察することが可能です。
先端プロセス製品(Low-K酸化膜の縮体なし)の断面観察が可能なSTEMを導入しております。
| STEM 走査透過電子顕微鏡 |
TEM 透過型電子顕微鏡 |
|
|---|---|---|
| 型式 | HD-2700 | JEM-ACE200F |
| メーカー | 日立 | JEOL |
| 加速電圧 | 80,120,200KV | 60kv～200kv |
| 観察モード | TE,SE,ZC | SE（表面像） TE（透過像） ZC（Zコントラスト） TEM（TEM像） |
| EDX | B～U 検出器（オックスフォード） |
B～U 検出器（JEOL） |
| 分解能 | 0.105nm | 粒子像 ≦0.21nm 格子像 0.1nm インフォメーションリミット ≦0.11nm |
| 資料サイズ | 1×1mm | Φ3mm 有効視野 2mm |
| 最高倍率 | ×8M@200kV | STEM 150M TEM 2M |
STEM(透過型電子顕微鏡）
TEM(透過型電子顕微鏡）
§ 2025年6月導入
・自動観察（レシピ使用）
・高分解能
左側：配線や層間膜を含むFinFETの断面構造
右側：FinFETのSi基板の格子像が明瞭に観察されています。
また、絶縁膜であるゲートシリコン酸化膜も明瞭に観察
